FEATURES
產品特色
FEATURES
可處理95x250mm基板
配備獨特的陶瓷加熱器和壓力及位置控制方法，能提供多樣的溫度、壓力和高度曲線配置
高精度定位和高剛性框架，能夠實現高精準定位
憑藉其獨特的間隙控制功能，能夠實現最合適的高度控制
可更換低壓或高壓之壓合機構，以適用於不同產品設計
ADVANTAGES
產品優勢
ADVANTAGES
1.5μm(3σ) 高精度定位
快速升溫加熱器(200℃/sec @ □22mm)
壓合高度可控制，適用C4及Cu pillar製程
最高490N壓合力，適用高密度多引腳晶片
PRODUCT SPECIFICATIONS
產品規格
PRODUCT SPECIFICATIONS
| FC3000L2 (for Chip on Substrate) | ||
|---|---|---|
| Machine Type |
|
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| Substrate Size (mm) |
125–250 mm long x 40–95 mm wide (t=0.2–1.0 mm) |
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| Chip size (mm) | Thermo-compression Bonding*1 |
3.0–20 mm long x 3.0–20 mm wide (t=0.05–1.0 mm) |
| Ultra-low Pressure Bonding |
3.0–20 mm long x 3.0–20 mm wide (t=0.05–1.0 mm) |
|
| Chip Type | Wafer: 1 | |
| Chip Orientation*2 | Face up (Wafer 8", 12") | |
| Cycle Time*3 | 1.8 sec/chip | |
| Alignment Accuracy (3σ)*4 | ±2μm (X,Y) | |
| Pressurization Force (N) | High-stiffness Head | 9.8 – 490 |
| Ultra-low Pressure Head | 0.098 – 9.8 | |
| Bonding Head Type | Ceramic heater head: temperature RT–450℃ | |
*註：
-
可選擇加工大尺寸晶片（最大長 30.0 mm x 寬 30.0 mm）
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可選配處理8"晶圓和承載盤
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週期時間不包括加工時間（即搜尋、鍵合和真空釋放）
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精度測量使用Toray標準基板進行
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