動態H3TRB與DRB功率半導體測試系統
NI SET的動態H3TRB與DRB測試系統將SiC與GaN置於動態高濕高溫逆向偏差(H3TRB)或動態逆向偏壓(DRB)的測試條件下，運用具有高電壓尖峰與快速電壓上升的動態汲極刺激源，了解新故障機制所造成的影響。
PRODUCT DESCRIPTION
產品介紹
PRODUCT DESCRIPTION
在恆溫恆濕環境中，DUT會暴露於動態的汲極刺激源，且會因為電壓急升而出現高壓峰值。電壓改變會導致磁場快速變化，因而影響腐蝕作用。這個程序會讓DUT與絕緣材料加速劣化，最接近DUT的實際運作狀況。
FEATURES
產品特色
FEATURES
每個系統最多能容納240個DUT通道，Vds與最高汲極電壓不超過1500V
支援單一DUT功能，包括漏電流量測、過電流保護以及電壓控制
支援DUT-active與DUT-passive測試模式，並採用全自動的測試程序
提供0Hz至500kHz的可設定輸出頻率，以及25%至75%的工作週期設定 (按5%遞增)
可於最高溫度85°C、最高相對濕度85%的環境條件下運作，也可進行AC-HTC之類的測試
ADVANTAGES
產品優勢
ADVANTAGES
強化的測試條件，在動態應力評估中加入更多的溫度與濕度循環
能迅速因應需求變化的彈性
獨特的穩定性規範能因應太陽能產業對於穩定性的要求
AC-HTC測試版本是為特殊用途而設計的，非標準配置條件
