动态H3TRB与DRB功率半导体测试系统
NI SET的动态H3TRB与DRB测试系统将SiC与GaN置于动态高湿高温逆向偏差(H3TRB)或动态逆向偏压(DRB)的测试条件下，运用具有高电压尖峰与快速电压上升的动态漏极激励源，了解新失效机制所造成的影响。
PRODUCT DESCRIPTION
产品介绍
PRODUCT DESCRIPTION
在恒温恒湿环境中，DUT会暴露于动态的漏极激励源，且会因为电压急升而出现高压峰值。电压改变会导致磁场快速变化，因而影响腐蚀作用。这个程序会让DUT与绝缘材料加速劣化，最接近DUT的实际运作状况。
FEATURES
产品特色
FEATURES
每个系统最多能容纳240个DUT通道，Vds与最高汲极电压不超过1500V
支援单一DUT功能，包括漏电流量测、过电流保护以及电压控制
支援DUT-active与DUT-passive测试模式，并采用全自动的测试程序
提供0Hz至500kHz的可设定输出频率，以及25%至75%的工作周期设定 (按5%递增)
可于最高温度85°C、最高相对湿度85%的环境条件下运作，也可进行AC-HTC之类的测试
ADVANTAGES
产品优势
ADVANTAGES
强化的测试条件，在动态应力评估中加入更多的温度与湿度循环
能迅速因应需求变化的弹性
独特的稳定性规范能因应太阳能产业对于稳定性的要求
可选AC-HTC测试版本为特殊应用场景量身定制
